1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗小; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
江苏省常州市委常委、统战部部长杨… 科技是第一生产力,人才是第一资源,创新是第一动力。1月12日,江… 2023-01-12 了解更多
宏微科技入选国家知识产权优势企业… 为了全面贯彻党的二十大全会精神,深入落实习近平总书记对知识产… 2023-01-05 了解更多
江苏省省长许昆林莅临宏微科技调研… 11月2日下午,江苏省省委副书记、省长许昆林莅临江苏宏微科技股份… 2022-11-07 了解更多